Quantum dot active region structures are disclosed. In a preferred embodiment, the distribution in dot size and the sequence of optical transition energy values associated with the quantum confined states of the dots are selected to facilitate forming a continuous optical gain spectrum over an extended wavelength range. In one embodiment, the quantum dots are self-assembled quantum dots with a length-to-width ratio of at least three along the growth plane. In one embodiment, the quantum dots are formed in quantum wells for improved carrier confinement. In other embodiments, the quantum dots are used as the active region in laser devices, including tunable lasers and monolithic multi-wavelength laser arrays.

Οι κβαντικές δομές περιοχών σημείων ενεργές αποκαλύπτονται. Σε μια προτιμημένη ενσωμάτωση, η διανομή στο μέγεθος σημείων και η ακολουθία οπτικών ενεργειακών τιμών μετάβασης που συνδέονται με τις περιορισμένες κβάντο καταστάσεις των σημείων επιλέγονται για να διευκολύνουν τη διαμόρφωση ενός συνεχούς οπτικού φάσματος κέρδους πέρα από μια εκτεταμένη σειρά μήκους κύματος. Σε μια ενσωμάτωση, τα κβαντικά σημεία είναι μόνος-συγκεντρωμένα κβαντικά σημεία με μια αναλογία μήκος-$$$-ΠΛΑΤΟΥΣ τουλάχιστον τριών κατά μήκος του αεροπλάνου αύξησης. Σε μια ενσωμάτωση, τα κβαντικά σημεία διαμορφώνονται στα κβαντικά φρεάτια για το βελτιωμένο περιορισμό μεταφορέων. Σε άλλες ενσωματώσεις, τα κβαντικά σημεία χρησιμοποιούνται ως ενεργός περιοχή στις συσκευές λέιζερ, συμπεριλαμβανομένων των δυνάμενων να ξορδισθεί λέιζερ και των μονολιθικών σειρών λέιζερ πολυ-μήκους κύματος.