This invention presents a novel write line segmentation architecture for writing magnetoresitive random access memories (MRAM). Only the memory cells in a selected segment get a high hard axis field generated by a write line current. Memory cells of deselected segments do not receive this hard axis field. This prevents an undesired state change in particularly sensitive memory cells.

Diese Erfindung stellt einen Roman schreiben Linie Segmentationarchitektur für Schreiben magnetoresitive RAMS dar (MRAM). Nur die Speicherzellen in einem vorgewählten Segment erhalten eine hohe harte Mittellinie auffangen erzeugt durch eine schreibenlinie Strom. Speicherzellen der abgewählten Segmente empfangen nicht diese harte Mittellinie auffangen. Dieses verhindert eine unerwünschte Zustandänderung in den besonders empfindlichen Speicherzellen.