The present invention provides a surface wave acoustic element which has a large surface acoustic wave propagation velocity and can be used in high-frequency regions by using a hard layer other than diamond which has inferior surface flatness. This surface acoustic wave element has a sapphire single crystal substrate, a hard layer formed on the sapphire single crystal substrate and having a composition containing (Al.sub.1-x M1.sub.x).sub.2 O.sub.3 (0.ltoreq.x.ltoreq.0.5) in which at least one element M1 (M1=B, Ga, In, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co) is added to sapphire, and a piezoelectric layer formed on the hard layer.

Die anwesende Erfindung liefert ein Oberflächenwelle akustisches Element, das eine große akustische Welle Ausbreitungoberflächengeschwindigkeit hat und kann in den Hochfrequenzregionen verwendet werden, indem sie eine harte Schicht anders als Diamanten verwendet, der minderwertige Oberflächenflachheit hat. Dieses akustische Welle Oberflächenelement hat ein Substrat des einzelnen Kristalles des Saphirs, eine harte Schicht, die auf dem Substrat des einzelnen Kristalles des Saphirs und Haben eines Aufbauenthaltens gebildet wird (Al.sub.1-x M1.sub.x).sub.2 O.sub.3 (0.ltoreq.x.ltoreq.0.5) in denen mindestens ein Element M1 (M1=B, Ga innen Ti, V, Cr, Mangan, F.E., Co) Saphir hinzugefügt wird und eine piezoelektrische Schicht bildeten sich auf der harten Schicht.

 
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< Surface acoustic wave device and production process thereof

< Surface-acoustic-wave filter providing outputs with different delay times and communications unit

> Method and arrangement for compensating for frequency jitter in a laser radar system by utilizing double-sideband chirped modulator/demodulator system

> Surface acoustic wave device utilizing a ZnO layer and a diamond layer

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