Disclosed is a semiconductor wafer whose pattern is composed of a plurality of chip areas delimited by a plurality of streets which at least one or more streets are not straight. Those chip areas may be rectangular ones of same or different sizes delimited by streets which are wholly or partly staggered, or ones of different shapes and/or sizes delimited by streets which are bent or curved so that they may separate adjacent chip areas. Such a semiconductor wafer can be separated into chips by: coating one of the opposite surfaces of each semiconductor wafer with a photo-resistive film; exposing the coated surface of the semiconductor wafer to the light to remove the coating area lying on the streets; subjecting the street-exposed wafer surface to chemical etching to make grooves in conformity with the streets; and separating the semiconductor wafer into chips. The separating step may include making grooves deep enough to reach the front side of the wafer by chemical etching or grinding the grooved wafer on its rear side to remove the remaining thickness of the grooved wafer.

Onthuld wordt een halfgeleiderwafeltje het waarvan patroon uit een meerderheid van spaandergebieden die door een meerderheid van straten worden afgebakend samengesteld is die minstens één of meerdere straten niet recht zijn. Die spaandergebieden kunnen rechthoekige degenen van zelfde of verschillende grootte die door straten wordt afgebakend die geheel of gedeeltelijk gewankeld zijn, of degenen van verschillende vormen zijn en/of grootte die door straten wordt afgebakend die worden gebogen of gebogen zodat zij aangrenzende spaandergebieden kunnen scheiden. Een dergelijk halfgeleiderwafeltje kan worden gescheiden in spaanders door: het met een laag bedekken van één van de tegenovergestelde oppervlakten van elk halfgeleiderwafeltje met een photo-resistive film; het blootstellen van de met een laag bedekte oppervlakte van het halfgeleiderwafeltje aan het licht om het deklaaggebied te verwijderen dat op de straten ligt; het onderwerpen van de straat-blootgestelde wafeltjeoppervlakte aan chemische ets om groeven in overeenstemming met de straten te maken; en scheidend het halfgeleiderwafeltje in spaanders. De scheidende stap kan het maken van groeven diep genoeg om de voorkant van het wafeltje door chemische ets te bereiken of het malen van het gegroefte wafeltje aan zijn achterkant omvatten om de resterende dikte van het gegroefte wafeltje te verwijderen.