The present invention provides an optoelectronic device and a method of manufacture therefor, that prevents dopant diffusion and controls the dopant concentration therein. The optoelectronic device includes an active region formed over a substrate, and an interface barrier layer and barrier layer located over the active region. The optoelectronic device further includes an upper cladding layer located over the interface barrier layer and the barrier layer. In an exemplary embodiment of the invention, the interface barrier layer is an indium phosphide interface barrier layer and the barrier layer is an indium gallium arsenide phosphide barrier layer.

La présente invention fournit un dispositif optoélectronique et une méthode de fabrication pour cette fin, cela empêche la diffusion de dopant et commande la concentration de dopant là-dedans. Le dispositif optoélectronique inclut une région active formée au-dessus d'un substrat, et une couche-barrière d'interface et la couche-barrière située au-dessus de la région active. Le dispositif optoélectronique autre inclut une couche supérieure de revêtement plac au-dessus de la couche-barrière d'interface et de la couche-barrière. Dans un mode de réalisation exemplaire de l'invention, la couche-barrière d'interface est une couche-barrière d'interface de phosphure d'indium et la couche-barrière est une couche-barrière de phosphure d'arséniure de gallium d'indium.