A low voltage boost circuit suitable for use in a ferroelectric memory is realized implementing five N-channel devices and two ferroelectric capacitors. The voltage on a word line is boosted using charge sharing techniques in order to assure proper operation at lower power supply voltage conditions. In operation, the gate of an N-channel pass gate is boosted to supply a full VDD voltage on the bottom electrode of a ferroelectric capacitor, which capacitively couples into the word line for an efficient word line voltage boost.

Ein Niederspannung Erhöhung Stromkreis, der für Gebrauch in einem ferroelectric Gedächtnis verwendbar ist, wird fünf N-Führung Vorrichtungen und zwei ferroelectric Kondensatoren einführend verwirklicht. Die Spannung auf einer Wortlinie wird mit der Aufladung aufgeladen, die Techniken teilt, um sinngemässer Funktion an den niedrigeren Spg.Versorgungsteil-Spannung Zuständen zu versichern. In Kraft, wird das Gatter eines N-Führung Durchlaufgatters aufgeladen, um eine volle VDD Spannung auf der Grundelektrode eines ferroelectric Kondensators zu liefern, der capacitively in die Wortlinie für eine leistungsfähige Wortlinie Spannung Erhöhung verbindet.