A light emitting device and a method of increasing the light output of the device utilize a chirped multi-well active region to increase the probability of radiative recombination of electrons and holes within the light emitting active layers of the active region by altering the electron and hole distribution profiles within the light emitting active layers of the active region (i.e., across the active region). The chirped multi-well active region produces a higher and more uniform distribution of electrons and holes throughout the active region of the device by substantially offsetting carrier diffusion effects caused by differences in electron and hole mobility by using complementary differences in layer thickness and/or layer composition within the active region. Thus, the chirped design of the multi-well active region increases the probability of radiative recombination of electrons and holes within the light emitting active layers of the active region, which results in an increased light output of the device. The multi-well active region of the device may be chirped with respect to light emitting active layers and/or barrier layers of the active region. The light emitting device may be a III-V material LED, a II-VI material LED, a polymer or organic LED, a laser diode or an optical amplifier.

Un dispositivo que emite ligero y un método de aumentar la salida ligera del dispositivo utilizan una región activa gojeada del multi-well para aumentar la probabilidad de la recombinación radiativa de electrones y de agujeros dentro de la luz que emite capas activas de la región activa alterando los perfiles de la distribución del electrón y del agujero dentro de la luz que emite capas activas de la región activa (es decir, a través de la región activa). La región activa gojeada del multi-well produce una distribución más alta y más uniforme de electrones y de agujeros a través de la región activa del dispositivo substancialmente compensando los efectos de la difusión de portador causados por diferencias en movilidad del electrón y de agujero usando diferencias complementarias en grueso de la capa y/o la composición de la capa dentro de la región activa. Así, el diseño gojeado de la región activa del multi-well aumenta la probabilidad de la recombinación radiativa de electrones y de agujeros dentro de la luz que emite capas activas de la región activa, que da lugar a una salida ligera creciente del dispositivo. La región activa del multi-well del dispositivo se puede gojear con respecto a la luz que emite capas activas y/o capas de barrera de la región activa. El dispositivo que emite ligero puede ser un material LED de III-V, un material LED de II-VI, un polímero o un LED orgánico, un diodo del laser o un amplificador óptico.