A heat treatment apparatus for applying a predetermined heat treatment to a substrate includes: for example, a dielectric low oxygen controlled cure unit (DLC unit) for forming an interlayer insulating film on a semiconductor wafer W; a hot plate for supporting the wafer W a predetermined distance apart from the surface thereof; a chamber for housing the wafer W; a gas collecting port formed in that portion of the hot plate which corresponds to the lower side of the wafer W when the wafer W is disposed on the hot plate; and an oxygen sensor for measuring the oxygen concentration in the gas collected from the gas collecting port. Since the oxygen concentration can be measured during the heat treatment to the wafer W, the characteristics of the interlayer insulating film formed can be maintained constant.

Ein Wärmebehandlungapparat für das Anwenden einer vorbestimmten Wärmebehandlung an einem Substrat schließt ein: z.B. steuerte ein dielektrischer niedriger Sauerstoff Heilungmaßeinheit (DLC Maßeinheit) für die Formung eines isolierenden Filmes der Zwischenlage auf einem Halbleiterplättchen W; eine heiße Platte für die Oblate W ein vorbestimmter Abstand abgesehen von der Oberfläche davon stützen; ein Raum für die Unterbringung der Oblate W; ein Gas, das Tor sammelt, bildete sich in diesem Teil der heißen Platte, die der untereren Seite der Oblate W entspricht, wenn die Oblate W auf der heißen Platte abgeschaffen wird; und ein Sauerstoff-Sensor für das Messen der Sauerstoffkonzentration im Gas sammelte vom Gas, das Tor sammelt. Da die Sauerstoffkonzentration während der Wärmebehandlung zur Oblate W gemessen werden kann, können die Eigenschaften des isolierenden gebildeten worden Filmes der Zwischenlage beibehaltene Konstante sein.