A workpiece or substrate is placed in a support in a reaction chamber. A heated process liquid is sprayed onto the substrate. The thickness of the layer of process liquid formed on the substrate is controlled, e.g., by spinning the substrate. Ozone is introduced into the reaction chamber by injection into the liquid or into the reaction chamber, while the temperature of the substrate is controlled, to chemically process the substrate. The substrate is then rinsed and dried.

Een werkstuk of een substraat worden geplaatst in een steun in een reactiekamer. Een verwarmde procesvloeistof wordt bespoten op het substraat. De dikte van de laag van procesvloeistof die op het substraat wordt gevormd wordt gecontroleerd, b.v., door het substraat te spinnen. Het ozon wordt geïntroduceerd in de reactiekamer door injectie in de vloeistof of in de reactiekamer, terwijl de temperatuur van het substraat, wordt gecontroleerd om het substraat chemisch te verwerken. Het substraat wordt dan gespoeld en droog.

 
Web www.patentalert.com

< Chemical solutions system for processing semiconductor materials

< Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system

> Thermocapillary dryer

> Contact assemblies, methods for making contact assemblies, and plating machines with contact assemblies for plating microelectronic workpieces

~ 00055