A process for forming a metal oxide or a metal silicate gate dielectric layer on a semiconductor substrate is disclosed. A suitably prepared substrate is placed in a chamber. An organic precursor gas is flowed into the chamber. An inorganic precursor gas is then flowed into the chamber. The organic precursor gas catalyzes a reaction between itself, the inorganic precursor and the substrate to form a dielectric layer on the substrate.

Μια διαδικασία για ένα μεταλλικό οξείδιο ή ένα διηλεκτρικό στρώμα πυλών πυριτικών αλάτων μετάλλων σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών αποκαλύπτεται. Ένα κατάλληλα έτοιμο υπόστρωμα τοποθετείται σε μια αίθουσα. Ένας οργανικός πρόδρομος αέριο ρέεται στην αίθουσα. Ένας ανόργανος πρόδρομος αέριο ρέεται έπειτα στην αίθουσα. Ο οργανικός πρόδρομος καταλύει αέριο μια αντίδραση μεταξύ του, του ανόργανου προδρόμου και του υποστρώματος για να διαμορφώσει ένα διηλεκτρικό στρώμα στο υπόστρωμα.