Buffer layer architectures are epitaxially deposited on biaxially-textured rolled-Ni and/or Cu substrates for high current conductors, and more particularly buffer layer architectures such as MgO/Ag/Pt/Ni, MgO/Ag/Pd/Ni, MgO/Ag/Ni, MgO/Ag/Pd/Cu, MgO/Ag/Pt/Cu, and MgO/Ag/Cu. Techniques used to deposit these buffer layers include electron beam evaporation, thermal evaporation, rf magnetron sputtering, pulsed laser deposition, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), combustion CVD, and spray pyrolysis.

As arquiteturas da camada do amortecedor são depositadas epitaxially em carcaças biaxially-biaxially-textured do rol-Rolled-Ni e/ou do cu para condutores atuais elevados, e mais particularmente em arquiteturas da camada do amortecedor tais como MgO/Ag/Pt/Ni, MgO/Ag/Pd/Ni, MgO/Ag/Ni, MgO/Ag/Pd/Cu, MgO/Ag/Pt/Cu, e MgO/Ag/Cu. As técnicas usaram-se depositar estas camadas do amortecedor incluem a evaporação do feixe de elétron, evaporação térmica, magnétron do rf que sputtering, pulsaram deposition do laser, o deposition de vapor químico metal-orgânico (MOCVD), o CVD da combustão, e o pyrolysis do pulverizador.