A multi-wavelength semiconductor image sensor comprises a p-type Hg.sub.0.7 Cd.sub.0.3 Te photo-absorbing layer formed on a single crystal CdZnTe substrate, a CdTe isolation layer deposited on the photo-absorbing layer, a p-type Hg.sub.0.7 Cd.sub.0.23 Te photo-absorbing layer deposited on the CdTe isolation layer, n.sup.+ regions which are formed in these photo-absorbing layers and form a pn-junction with each of these photo-absorbing layers, an indium electrode connected to each of these n.sup.+ regions and a ground electrode connected to the photo-absorbing layer, the semiconductor isolation layer being electrically isolated from the photo-absorbing layer.

Un sensor de la imagen del semiconductor de la multi-longitud de onda abarca un p-tipo capa foto-que absorbe formada en un substrato de CdZnTe del solo cristal, una capa de Hg.sub.0.7 Cd.sub.0.3 Te del aislamiento de CdTe depositada en la capa foto-que absorbe, un p-tipo capa foto-que absorbe depositada en la capa del aislamiento de CdTe, las regiones que se forman en estas capas foto-que absorben y forman una pn-ensambladura con cada uno de estas capas foto-que absorben, un electrodo del indio conectado con cada uno de estas regiones de n.sup.+ y un electrodo de tierra conectado con la capa foto-que absorbe, la capa de Hg.sub.0.7 Cd.sub.0.23 Te de n.sup.+ del aislamiento del semiconductor que es aislada eléctricamente de la capa foto-que absorbe.