A method for use in the fabrication of integrated circuits includes providing a substrate assembly having a surface. An adhesion layer is formed over at least a portion of the surface. The adhesion layer is formed of RuSi.sub.x O.sub.y, where x and y are in the range of about 0.01 to about 10. The adhesion layer may be formed by depositing RuSi.sub.x O.sub.y by chemical vapor deposition, atomic layer deposition, or physical vapor deposition or the adhesion layer may be formed by forming a layer of ruthenium or ruthenium oxide over a silicon-containing region and performing an anneal to form RuSi.sub.x O.sub.y from the layer of ruthenium and silicon from the adjacent silicon-containing region. Capacitor electrodes, interconnects or other structures may be formed with such an adhesion layer. Semiconductor structures and devices can be formed to include adhesion layers formed of RuSi.sub.x O.sub.y.

Метод для пользы в изготовлении интегрированных цепей вклюает предусмотрение агрегата субстрата имея поверхность. Слой прилипания сформирован над по крайней мере частью поверхности. Слой прилипания сформирован RuSi.sub.x O.sub.y, где х и ы in the range of about 0.01 до около 10. Слой прилипания может быть сформирован путем депозируя RuSi.sub.x O.sub.y низложением химически пара, атомным низложением слоя, или физическое низложение пара или слой прилипания могут быть сформированы путем формировать слой рутения или окиси рутения над кремни-soderja зоной и выполнять обжигать для того чтобы сформировать RuSi.sub.x O.sub.y от слоя рутения и кремния от смежной кремни-soderja зоны. Электроды конденсатора, соединяют или другие структуры могут быть сформированы с таким слоем прилипания. Структуры и приспособления полупроводника можно сформировать для того чтобы включить слои прилипания сформированные RuSi.sub.x O.sub.y.