There is provided a semiconductor device having TFTs whose thresholds can be controlled. There is provided a semiconductor device including a plurality of TFTs having a back gate electrode, a first gate insulation film, a semiconductor active layer a second gate insulation film and a gate electrode, which are formed on a substrate, wherein an arbitrary voltage is applied to the back gate electrode.

Παρέχεται μια συσκευή ημιαγωγών που έχει TFTs τα του οποίου κατώτατα όρια μπορούν να ελεγχθούν. Παρέχεται μια συσκευή ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης μιας πολλαπλότητας TFTs που έχει ένα πίσω ηλεκτρόδιο πυλών, μια πρώτη ταινία μόνωσης πυλών, ένα ενεργό στρώμα ημιαγωγών μια δεύτερη ταινία μόνωσης πυλών και ένα ηλεκτρόδιο πυλών, τα οποία διαμορφώνονται σε ένα υπόστρωμα, όπου μια αυθαίρετη τάση εφαρμόζεται στο πίσω ηλεκτρόδιο πυλών.