In accordance with the invention, a difference in index of refraction is created at the mesa wall of a III-nitride flip chip light emitting device. The step in index of refraction reflects much of the light incident on the mesa wall back into the device where it can be usefully extracted. In some embodiments, a solder wall on the submount or a high index gel coating the light emitting device and the submount creates a sealed gap between the light emitting device and the submount. The gap is filled with a material having a low index of refraction. In other embodiments, a high index material covers the substrate of the light emitting device, and a low index material fills the gap between the submount and the light emitting device.

Σύμφωνα με την εφεύρεση, μια διαφορά στο δείκτη της διάθλασης δημιουργείται στον τοίχο mesa μιας ελαφριάς εκπέμποντας συσκευής τσιπ κτυπήματος ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ. Το βήμα στο δείκτη της διάθλασης απεικονίζει ένα μεγάλο μέρος του ελαφριού γεγονότος στον τοίχο mesa πίσω στη συσκευή όπου μπορεί να εξαχθεί ωφέλιμα. Σε μερικές ενσωματώσεις, ένας τοίχος ύλης συγκολλήσεως στο submount ή ένα υψηλό πήκτωμα δεικτών που ντύνει την ελαφριά εκπέμποντας συσκευή και το submount δημιουργεί ένα σφραγισμένο χάσμα μεταξύ της ελαφριάς εκπέμποντας συσκευής και του submount. Το κενό καλύπτεται με ένα υλικό που έχει έναν χαμηλό δείκτη της διάθλασης. Σε άλλες ενσωματώσεις, ένα υψηλό υλικό δεικτών καλύπτει το υπόστρωμα της ελαφριάς εκπέμποντας συσκευής, και ένα χαμηλό υλικό δεικτών καλύπτει το κενό μεταξύ του submount και της ελαφριάς εκπέμποντας συσκευής.