After successively depositing a first metal film and a first silicon oxide
film on an insulating film formed on a semiconductor substrate, etching is
carried out by using a first resist pattern as a mask, so as to form a
first interlayer insulating film having openings from the first silicon
oxide film and first metal interconnects from the first metal film. A
third interlayer insulating film of an organic film is filled in the
openings of the first interlayer insulating film, and the first interlayer
insulating film is etched by using a hard mask. A second metal film is
then filled in a space in the second interlayer insulating film, so as to
form second metal interconnects.
Depois que sucessivamente depositar uma primeira película do metal e uma primeira película do óxido do silicone em uma película isolando deu forma em uma carcaça do semicondutor, gravando é realizado usando uma primeira resistem o teste padrão como uma máscara, para dar forma a uma película isolando do primeiro interlayer que tem aberturas da primeira do silicone do primeiro metal do óxido película e interconecta da primeira película do metal. Uma película isolando do terceiro interlayer de uma película orgânica é preenchida as aberturas da película isolando do primeiro interlayer, e a película isolando do primeiro interlayer é gravada usando uma máscara dura. Uma segunda película do metal é preenchida então um espaço na película isolando do segundo interlayer, para dar forma ao segundo metal interconecta.