An edge emitter (12) includes a diode array (20) with an emissive edge (22). The diode array (20) is formed on a substrate layer (24) that includes integrated driver circuits (23) to power the diode array (20). Dielectric posts (26) are formed on the substrate layer to provide optical isolation for each light emitting diode (28) of the diode array (20). A reflective metal coating (29) is formed on the substrate layer (24) and the dielectric posts (26). A light guide layer (30) is formed on the reflective coating (29) followed by the formation of an anode layer (32), an organic semiconductor layer (34), and a cathode layer (36). Vias (38) are formed from the anode layer (32) and the cathode layer (36) to the integrated driver circuits (23). The emissive edge (22) of each light emitting diode (28) in the diode array (20) has a height and width approximately one-tenth that of its length.

Ένας εκπομπός ακρών (12) περιλαμβάνει μια σειρά διόδων (20) με μια emissive άκρη (22). Η σειρά διόδων (20) διαμορφώνεται σε ένα στρώμα υποστρωμάτων (24) που περιλαμβάνει τα ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών (23) για να τροφοδοτήσει τη σειρά διόδων (20). Οι διηλεκτρικές θέσεις (26) διαμορφώνονται στο στρώμα υποστρωμάτων για να παρέχουν την οπτική απομόνωση για κάθε ελαφριά εκπέμποντας δίοδο (28) της σειράς διόδων (20). Ένα αντανακλαστικό επίστρωμα μετάλλων (29) διαμορφώνεται στο στρώμα υποστρωμάτων (24) και τις διηλεκτρικές θέσεις (26). Ένα ελαφρύ στρώμα οδηγών (30) διαμορφώνεται στο αντανακλαστικό επίστρωμα (29) που ακολουθείται από το σχηματισμό ενός στρώματος ανόδων (32), ένα οργανικό στρώμα ημιαγωγών (34), και ένα στρώμα καθόδων (36). Vias (38) διαμορφώνεται από το στρώμα ανόδων (32) και το στρώμα καθόδων (36) στα ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών (23). Η emissive άκρη (22) κάθε ελαφριάς εκπέμποντας διόδου (28) στη σειρά διόδων (20) έχει ένα ένα δέκατο ύψους και πλάτους περίπου αυτό του μήκους της.