An atomic layer deposition method of forming a solid thin film layer containing silicon. A substrate is loaded into a chamber. A first portion of a first reactant is chemisorbed onto the substrate, and a second portion of the first reactant is physisorbed onto the substrate. The physisorbed portion is purged from the substrate and the chamber. A second reactant is injected into the chamber. A first portion is chemically reacted with the chemisorbed first reactant to form a silicon-containing solid on the substrate. The first reactant is preferably Si[N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.4, SiH[N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.3, SiH.sub.2 [N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.2 or SiH.sub.3 [N(CH.sub.3).sub.2 ]. The second reactant is preferably activated NH.sub.3.

Une méthode atomique de dépôt de couche de former une couche pleine de la couche mince contenant le silicium. Un substrat est chargé dans une chambre. Une première partie d'un premier réactif est chemisorbed sur le substrat, et une deuxième partie du premier réactif est physisorbed sur le substrat. Physisorbed la partie est purgé du substrat et de la chambre. Un deuxième réactif est injecté dans la chambre. Une première partie est chimiquement mise à réagir avec chemisorbed le premier réactif pour former un solide silicium-contenant sur le substrat. Le premier réactif est de préférence Si[N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.4, SiH[N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.3, SiH.sub.2 [ N(CH.sub.3).sub.2 ].sub.2 ou SiH.sub.3 [ N(CH.sub.3).sub.2 ]. Le deuxième réactif est NH.sub.3 de préférence activé.