Readout circuitry for a magnetic tunneling junction (MTJ) memory cell, or an array of MTJ memory cells, is disclosed which requires a varying reference voltage equal to (V.sub.bias1 /2) (1+R.sub.min /R.sub.max) where V.sub.bias1 is a clamping voltage applied to the readout circuitry, R.sub.min is a minimum resistance of the magnetic tunneling junction memory cell, and R.sub.max is a maximum resistance of the magnetic tunneling junction memory cell. A reference voltage generator is disclosed which generates the reference voltage and includes an operational amplifier and two MTJ memory cells connected to provide an output signal equal to (V.sub.bias1 /2) (1+R.sub.min /R.sub.max)

Auslesenschaltkreis für eine magnetische Einen Tunnel anlegen Verzweigung (MTJ) Speicherzelle oder eine Reihe MTJ Speicherzellen, wird freigegeben, der eine unterschiedliche Bezugsspannung erfordert, die gleich ist zu (V.sub.bias1 /2) (1+R.sub.min /R.sub.max) wo V.sub.bias1 eine festklemmende Spannung ist, die auf den Auslesenschaltkreis zugetroffen wird, R.sub.min ist ein minimaler Widerstand der magnetischen Einen Tunnel anlegen Verzweigung Speicherzelle, und R.sub.max ist ein maximaler Widerstand der magnetischen Einen Tunnel anlegen Verzweigung Speicherzelle. Ein Bezugsspannung Generator wird, der die Bezugsspannung erzeugt und einen funktionsfähigen Verstärker miteinschließt und zwei MTJ Speicherzellen angeschlossen, um ein Ausgangssignal zur Verfügung zu stellen freigegeben, das gleich ist (V.sub.bias1 /2) (1+R.sub.min /R.sub.max)