In a non-volatile semiconductor memory, a large current can be flowed through the memory cell during reading. The number of the column lines can be reduced. The electron injection to the floating gates of the respective memory cells is averaged to reduce the dispersion of the threshold voltages thereof. The electron emission from the floating gates of the respective memory cells is also averaged to reduce the dispersion of the threshold voltages thereof. An increase in chip size due to latch circuits can be prevented. By noting that either of a plurality of "0" or "1" of the binary data are stored much in the memory cells of the memory cell bundle or block, a negative threshold voltage is allocated to the memory cells for storing the more bit side data of the binary data. A single column line is used in common for the two adjacent memory blocks. To inject electrons to the floating gates of the memory cells, voltage is increased gradually and stopped when electrons have been injected up to a predetermined injection rate. Electrons are once emitted from the floating gates, and thereafter the electrons are injected again to store one of a binary data. Further, the data latch circuits can be formed at any positions remote from the memory cell array.

En una memoria de semiconductor permanente, una corriente grande se puede atravesar la célula de memoria durante la lectura. El número de las líneas de columna puede ser reducido. La inyección del electrón a las puertas flotantes de las células de memoria respectivas se hace un promedio para reducir la dispersión de los voltajes del umbral de eso. La emisión del electrón de las puertas flotantes de las células de memoria respectivas también se hace un promedio para reducir la dispersión de los voltajes del umbral de eso. Un aumento de tamaño de la viruta debido a los circuitos del cierre puede ser prevenido. Observando que de una pluralidad de "0" o "1" de los datos binarios están almacenados mucho en las células de memoria del paquete de la célula de memoria o del bloque, un voltaje negativo del umbral es asignado a las células de memoria para almacenar los más datos del lado del pedacito de los datos binarios. Una sola línea de columna se utiliza en el campo común para los dos bloques adyacentes de la memoria. Para inyectar electrones a las puertas flotantes de las células de memoria, el voltaje se aumenta gradualmente y se para cuando los electrones se han inyectado hasta una tarifa predeterminada de la inyección. Los electrones se emiten una vez de las puertas flotantes, y los electrones se inyectan después de eso otra vez para almacenar uno de datos binarios. Además, los circuitos del cierre de datos se pueden formar en cualquier posición alejada del arsenal de célula de memoria.