An integrated circuit (IC) magnetic random access memory (MRAM) content addressable memory (CAM) system has a CAM cell which includes a first data bit and a second data bit, both of which are MRAM cells. The CAM is written by providing a word write current and writing the first and second data bits. The first and second data bits are written by currents that are flowing in different directions. After initializing the equalization bit, an input bit in one state indicates that the first and second data bits are written in first and second directions, respectively. The input bit in another state indicates that the first and second bits are written in the second and first directions, respectively.

Интегрированная система содержимой addressable памяти памяти случайного доступа цепи (IC) магнитная (MRAM) (КУЛАЧКА) имеет клетку КУЛАЧКА вклюает первый бит информации и второй бит информации, оба из которым будут клетки MRAM. КУЛАЧОК написан путем подавать слово пишет течение и писание первых и вторых битов информации. Первые и вторые биты информации написаны течениями пропускают в по-разному направлениях. После выступать бит с иничиативой выравнивания, бит входного сигнала в одном положении показывает что первые и вторые биты информации написаны внутри сперва и вторые направления, соответственно. Бит входного сигнала в другом положении показывает что первые и вторые биты написаны в вторых и первых направлениях, соответственно.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Semiconductor laser

> Flash memory control method and apparatus processing system therewith

> (none)

~ 00011