A method for crystallizing an amorphous film formed on an underlying layer having an unfavorable crystalline growth morphology is disclosed. The method includes providing a favorable growth substrate and then forming a first unfavorable growth layer on a seeding surface of the favorable growth substrate. An aperture is etched in the first unfavorable growth layer so that the aperture extends through the first unfavorable growth layer down to the seeding surface thereby exposing a portion of the seeding surface. An amorphous media layer is then formed on the first unfavorable growth layer. The amorphous media layer fills the aperture and is in contact with the seeding surface of the favorable growth substrate. A crystallized media layer is formed by annealing the amorphous media layer so that nucleation of a crystalline phase of the amorphous media layer begins at the seeding surface and propagates throughout the entirety of the amorphous media layer so that the remainder of the amorphous media layer is crystallized to form the crystallized media layer. Consequently, the crystallized media layer has a useful morphology due to nucleation of crystallization on the favorable growth substrate while being formed on the first unfavorable growth layer which tends to induce an unfavorable crystalline growth morphology. The crystallized media layer can be used as a data storage medium in an ultra-high density data storage device.

Eine Methode für die Kristallisierung eines formlosen Filmes, der auf einer zugrundeliegenden Schicht hat eine ungünstige kristallene Wachstummorphologie gebildet wird, wird freigegeben. Die Methode schließt das Zur Verfügung stellen eines vorteilhaften Wachstumsubstrates und eine erste ungünstige Wachstumschicht auf einer säenden Oberfläche des vorteilhaften Wachstumsubstrates dann bilden mit ein. Eine Blendenöffnung wird in der ersten ungünstigen Wachstumschicht geätzt, damit die Blendenöffnung durch die erste ungünstige Wachstumschicht unten auf die säende Oberfläche verlängert, die dadurch einen Teil der säenden Oberfläche herausstellt. Eine formlose Mittelschicht wird dann auf der ersten ungünstigen Wachstumschicht gebildet. Die formlosen Mittel überlagern Füllen die Blendenöffnung und sind in Verbindung mit der säenden Oberfläche des vorteilhaften Wachstumsubstrates. Überlagern kristallisierte Mittel, die Schicht gebildet wird, indem man die formlosen Mittel tempert, damit Kernbildung einer kristallenen Phase der formlosen Mittelschicht an der säenden Oberfläche anfängt und während der Ganzheit der formlosen Mittel überlagern fortpflanzt, damit der Rest der formlosen Mittelschicht kristallisiert wird, um die kristallisierte Mittelschicht zu bilden. Infolgedessen hat die kristallisierte Mittelschicht eine nützliche Morphologie wegen der Kernbildung der Kristallisation auf dem vorteilhaften Wachstumsubstrat bei auf der ersten ungünstigen Wachstumschicht gebildet werden, die neigt, eine ungünstige kristallene Wachstummorphologie zu verursachen. Die kristallisierte Mittelschicht kann als Datenspeichermedium in einer Ultrahochdichtedatenspeichervorrichtung verwendet werden.