Acid diffusion induced critical dimension change in a chemically amplified photoresist process is suppressed by lowering the reaction activation energy barrier. Energy required to overcome the reaction activation energy barrier is provided directly to the chemical bonds that are involved in the chemical reactions, rather than providing energy solely by thermal heating, thereby significantly increasing reaction rate without increasing acid diffusion.

Η όξινη διάχυση προκάλεσε την κρίσιμη αλλαγή διάστασης σε μια χημικά ενισχυμένη photoresist διαδικασία καταστέλλεται με το χαμήλωμα του ενεργειακού εμποδίου ενεργοποίησης αντίδρασης. Η ενέργεια που απαιτείται για να υπερνικήσει το ενεργειακό εμπόδιο ενεργοποίησης αντίδρασης παρέχεται άμεσα στους χημικούς δεσμούς που περιλαμβάνονται στις χημικές αντιδράσεις, παρά να παράσχουν την ενέργεια απλώς με τη θερμική θέρμανση, με αυτόν τον τρόπο αυξάνοντας σημαντικά το ποσοστό αντίδρασης χωρίς αυξανόμενη όξινη διάχυση.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Techniques for wafer level molding of underfill encapsulant

> Energy absorbing member

> (none)

~ 00011