A method for determining the temperature of a wafer during processing is disclosed. A test wafer is specially prepared in conjunction with a calibration chart. The difference in stack sheet resistance of the test wafer before and after processing is plotted onto the calibration chart to determine the temperature of the test wafer during processing.

Показан метод для обусловливать температуру вафли во время обрабатывать. Вафля испытания специально подготовлена совместно с диаграммой тарировки. Разница в сопротивлении листа стога вафли испытания before and after обрабатывая прокладывать курс на диаграмму тарировки для того чтобы обусловить температуру вафли испытания во время обрабатывать.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Dielectric-based anti-fuse cell with polysilicon contact plug and method for its manufacture

> High gain, current driven, high frequency amplifier

> (none)

~ 00011