A ferroelectric memory cell integrated with silicon circuitry which require a forming-gas anneal of the silicon circuitry after the ferroelectric stack has been formed. The ferroelectric layer may have a composition such that there is no space in the lattice of the ferroelectric phase to accommodate atomic hydrogen or have a composition with a Curie temperature below the temperature of the forming-gas anneal. Preferably, there is no upper platinum electrode, or it is deposited after the forming-gas anneal. A metal-oxide upper electrode serves as barrier to the forming-gas anneal, and an intermetallic layer positioned above the ferroelectric stack serves as an even better barrier. Forming-gas damage to the ferroelectric stack can be removed by a recovery anneal in a hydrogen-free environment, preferably performed at a temperature above the Curie temperature.

Una célula de memoria ferroelectric integró con el trazado de circuito del silicio que requieren un formar-gas recuecen del trazado de circuito del silicio después de que se haya formado el apilado ferroelectric. La capa ferroelectric puede tener una composición tales que no hay espacio en el enrejado de la fase ferroelectric para acomodar el hidrógeno activo o para hacer que una composición con una temperatura de curie debajo de la temperatura del formar-gas recueza. Preferiblemente, no hay electrodo de platino superior, o se deposita después de que el formar-gas recueza. Un electrodo superior de óxido metálico sirve mientras que la barrera al formar-gas recuece, y una capa intermetálica colocada sobre el apilado ferroelectric sirve como barrera incluso mejor. el daños del Formar-gas al apilado ferroelectric se pueden quitar por una recuperación recuecen en un ambiente hidro'geno-libre, realizado preferiblemente en una temperatura sobre la temperatura de curie.