A semiconductor laser, such as surface emitting laser, is disclosed.
According to one embodiment, the laser includes a first reflector assembly
having an upper face, a second reflector assembly having a lower face that
faces the upper face of the first reflector assembly, and a phase
conjugator between the first and second reflector assemblies. The phase
conjugator includes a first semiconductor active region parallel to the
upper face of the first reflector assembly and the lower face of the
second reflector assembly, a second semiconductor active region that is
not parallel to first semiconductor active region, and a third
semiconductor active region that is not parallel to the first
semiconductor active region.
Показан лазер полупроводника, such as поверхностный испуская лазер. Согласно одному воплощению, лазер вклюает первый агрегат рефлектора имея верхнюю сторону, второй агрегат рефлектора имея более низкую сторону которая смотрит на верхнюю сторону первого агрегата рефлектора, и conjugator участка между первыми и вторыми агрегатами рефлектора. Conjugator участка вклюает зону первого полупроводника активно параллельную к верхней стороне первого агрегата рефлектора и более низкой стороне второго агрегата рефлектора, зоны второго полупроводника активно которая не параллельна к зоне первого полупроводника активно, и зоны третьего полупроводника активно которая не параллельна к зоне первого полупроводника активно.
