In a magnetic random access memory, a cross point cell array of memory
cells is arranged in a matrix of columns and rows, and each of the memory
cells has a magneto-resistance element. A column of dummy memory cells is
provided, and each of the dummy memory cells has a magneto-resistance
element. Word lines are provided for the rows of the memory cells and the
dummy memory cells, respectively, and bit lines are provided for the
columns of the memory cells, respectively. A dummy bit line is provided
for the column of dummy memory cells. A read circuit is connected with the
cross point cell array and the dummy bit line.
Em uma memória de acesso aleatório magnética, uma disposição de pilha do ponto transversal de pilhas de memória é arranjada em uma matriz das colunas e das fileiras, e cada uma das pilhas de memória tem um elemento da magnetorresistência. Uma coluna das pilhas de memória dummy é fornecida, e cada uma das pilhas de memória dummy tem um elemento da magnetorresistência. As linhas da palavra são fornecidas para as fileiras das pilhas de memória e as pilhas de memória dummy, respectivamente, e as linhas do bocado são fornecidas para as colunas das pilhas de memória, respectivamente. Uma linha dummy do bocado é fornecida para a coluna das pilhas de memória dummy. Um circuito lido é conectado com a disposição de pilha do ponto transversal e a linha dummy do bocado.
