Magnetic memory device and method for manufacturing the same

   
   

A magnetic memory device includes a first memory portion, the first memory portion having a first wiring extending in a first direction, second wirings extending in a second direction, a first memory element portion in which magneto-resistance elements is connected in series and arranged at intersections between the first and second wirings, and a first switching element connected to one end of the first memory element portion, and a second memory portion which is adjacent to the first memory portion in the first direction and shares the first wiring with the first memory portion, the second memory portion having the first wiring, third wirings extending in the second direction, a second memory element portion in which the magneto-resistance elements are connected in series and arranged at intersections between the first and third wirings, and a second switching element connected to one end of the second memory element portion.

Un bloc de mémoires magnétique inclut une première partie de mémoire, la première partie de mémoire ayant un premier câblage se prolonger dans une première direction, les deuxièmes câblages se prolongeant dans une deuxième direction, une première partie d'élément de mémoire dans lesquels des éléments de magnétorésistance est reliés en série et arrangés aux intersections entre les premiers et deuxièmes câblages, et un premier élément de commutation relié à une extrémité de la première partie d'élément de mémoire, et d'une deuxième partie de mémoire qui est à côté de la première partie de mémoire dans la première direction et partage le premier câblage avec la première partie de mémoire, la deuxième partie de mémoire ayant le premier câblage, les troisième câblages se prolongeant dans la deuxième direction, une deuxième mémoire la partie d'élément dans laquelle les éléments de magnétorésistance sont reliés en série et arrangés aux intersections entre les premiers et troisième câblages, et un deuxième élément de commutation se sont reliés à une extrémité de la deuxième partie d'élément de mémoire.

 
Web www.patentalert.com

< Multi-port scan chain register apparatus and method

< Minimizing errors in a magnetoresistive solid-state storage device

> Magnetic memory

> System and method for sensing data stored in a resistive memory element using one bit of a digital count

~ 00175