Phase angle controlled stationary elements for long wavelength electromagnetic radiation

   
   

An element for reflecting, transmitting, focusing, defocusing or wavefront correction of electromagnetic radiation in the terahertz frequency range. The elements include a grid of conductive strips including active regions comprising a chalcogenide phase change material. The chalcogenide material can be in an amorphous, crystalline or partially crystalline state. The dispersive characteristics of the grid (e.g. impedance, admittance, capacitance, inductance) influence one or more of the reflection, transmission, state of focusing or wavefront characteristics of incident electromagnetic radiation through the action of a stored phase taper formed by establishing a crystallinity gradient over a series of active chalcogenide regions or domains in one or more directions of the element. The dispersive characteristics of the grid are determined by the structural states of the active chalcogenide regions contained therein and are reconfigurable through transformations of one or more chalcogenide regions from one structural state to another by providing energy to the chalcogenide material. In a preferred embodiment, the individual active chalcogenide regions are much smaller than the operating wavelength of the element so that a plurality of active chalcogenide regions is included in wavelength scale domains. In these embodiments, crystallinity gradients may be formed through monotonic increases or decreases in the domain average fractional crystallinity in one or more directions of an element where no particular requirement on the fractional crystallinity of individual active regions need be imposed. In these embodiments, the domain fractional crystallinity is a statistical average over the individual chalcogenide regions contained therein and phase tapers may be achieved in multistate or binary mode. The element may be free-standing, supported on a dielectric substrate or interposed between two or more dielectric materials.

Ένα στοιχείο για την απεικόνιση, τη διαβίβαση, την εστίαση, ή τη διόρθωση κυματομορφής της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας στο φάσμα συχνότητας terahertz. Τα στοιχεία περιλαμβάνουν ένα πλέγμα των αγώγιμων λουρίδων συμπεριλαμβανομένων των ενεργών περιοχών περιλαμβάνοντας ένα υλικό αλλαγής φάσης chalcogenide. Το υλικό chalcogenide μπορεί να είναι σε ένα άμορφο, κρυστάλλινο ή μερικώς κρυστάλλινο κράτος. Τα διασποράς χαρακτηριστικά του πλέγματος (π.χ. σύνθετη αντίσταση, είσοδος, ικανότητα, αυτεπαγωγή) επηρεάζουν μιας ή περισσότερων από την αντανάκλαση, τη μετάδοση, την κατάσταση της εστίασης ή τα χαρακτηριστικά κυματομορφής της συναφούς ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας μέσω της δράσης μιας αποθηκευμένης κωνικότητας φάσης που διαμορφώνεται με την καθιέρωση μιας κλίσης διαύγειας πέρα από μια σειρά ενεργών περιοχών ή περιοχών chalcogenide σε μια ή περισσότερες κατευθύνσεις του στοιχείου. Τα διασποράς χαρακτηριστικά του πλέγματος καθορίζονται από τις δομικές καταστάσεις των ενεργών περιοχών chalcogenide που περιλαμβάνονται εκεί μέσα και είναι reconfigurable μέσω των μετασχηματισμών μιας ή περισσότερων περιοχών chalcogenide από ένα δομικό κράτος σε άλλο με την παροχή της ενέργειας στο υλικό chalcogenide. Σε μια προτιμημένη ενσωμάτωση, οι μεμονωμένες ενεργές περιοχές chalcogenide είναι πολύ μικρότερες από το λειτουργούν μήκος κύματος του στοιχείου έτσι ώστε μια πολλαπλότητα των ενεργών περιοχών chalcogenide συμπεριλαμβάνεται στις περιοχές κλίμακας μήκους κύματος. Σε αυτές τις ενσωματώσεις, οι κλίσεις διαύγειας μπορούν να διαμορφωθούν μέσω των μονοτονικών αυξήσεων ή των μειώσεων στη μέση κλασματική διαύγεια περιοχών σε μια ή περισσότερες κατευθύνσεις ενός στοιχείου όπου καμία ιδιαίτερη απαίτηση στην κλασματική διαύγεια των μεμονωμένων ενεργών περιοχών δεν χρειάζεται να επιβληθεί. Σε αυτές τις ενσωματώσεις, η κλασματική διαύγεια περιοχών είναι ένας στατιστικός μέσος όρος πέρα από τις μεμονωμένες περιοχές chalcogenide που περιλαμβάνονται εκεί μέσα και η φάση εκλεπτύνει μπορεί να επιτευχθεί στον πολυκρατικό ή δυαδικό τρόπο. Το στοιχείο μπορεί να είναι????????, υποστηριγμένο σε ένα διηλεκτρικό υπόστρωμα ή μεταξύ δύο ή περισσότερων διηλεκτρικών υλικών.

 
Web www.patentalert.com

< Transverse optical fiber devices for optical sensing

< Movable structure, and deflection mirror element, optical switch element and shape variable mirror including the movable structure

> Tunable frequency-converting optical device

> Sensor system for disk device using floating head

~ 00175