A semiconductor pressure sensor comprises a
non-single-crystal-silicon-based substrate, a movable insulating
diaphragm, at least one piezoresistor positioned on the insulating
diaphragm, an insulating supporter positioned on the
non-single-crystal-silicon-based substrate for fixing two ends of the
insulating diaphragm and forming a cavity between the insulating diaphragm
and the non-single-crystal-silicon-based substrate, and a thin film
transistor (TFT) control circuit positioned on the
non-single-crystal-silicon-based substrate and electrically connected to
the insulating diaphragm and the piezoresistor.
Un sensor de la presión del semiconductor abarca un substrato no-solo-cristal-silicio-basado, un diafragma aislador movible, por lo menos un piezoresistor colocados en el diafragma aislador, un partidario aislador colocado en el substrato no-solo-cristal-silicio-basado para fijar dos extremos del diafragma aislador y formar una cavidad entre el diafragma aislador y el substrato no-solo-cristal-silicio-basado, y un circuito de control del transistor de la película fina (TFT) colocado en el substrato no-solo-cristal-silicio-basado y conectado eléctricamente con el diafragma aislador y el piezoresistor.
