The invention relates to an SRAM memory cell, a memory cell arrangement and
a method for fabricating a memory cell arrangement. The SRAM memory cell
has six vertical transistors, of which four are connected up as flip-flip
transistors and two are connected up as switching transistors, four of the
vertical transistors being arranged at corners of the rectangular base
area.
De uitvinding heeft op een SRAM geheugencel, een regeling van de geheugencel en een methode om een regeling van de geheugencel te vervaardigen betrekking. De SRAM geheugencel heeft zes verticale transistors, waarvan vier omhoog als tik-tiktransistors worden verbonden en twee omhoog als omschakelingstransistors worden verbonden, vier van de verticale transistors die bij hoeken van het rechthoekige basisgebied worden geschikt.
