Ammonia gas passivation on nitride encapsulated devices

   
   

A passivation method includes disassociating ammonia so as to expose at least interfaces between silicon-containing and passivation structures to at least hydrogen species derived from the ammonia and forming an encapsulant layer that is positioned so as to substantially contain the hydrogen species in the presence of the interfaces. The hydrogen passivation reduces a concentration of dangling silicon bonds at the interfaces by as much as about two orders of magnitude or greater. The encapsulant layer, which may include silicon nitride, prevents hydrogen species from escaping therethrough as high temperature processes are subsequently conducted. Once high temperature processes have been completed, portions of the encapsulant layer may be removed, as needed, to provide access to features of the semiconductor device structure that underlie the encapsulant layer. Semiconductor device structures that have been passivated in such a manner are also disclosed.

Un metodo di passività include l'ammoniaca disassociating in modo da esporre almeno le interfacce fra silicone-contenere e le strutture di passività almeno alle specie dell'idrogeno derivate dall'ammoniaca e formare uno strato encapsulant che è posizionato in modo da contenere sostanzialmente la specie dell'idrogeno in presenza delle interfacce. La passività dell'idrogeno riduce una concentrazione dei legami dangling del silicone alle interfacce vicino tanto quanto circa due ordini di grandezza o il più grande. Lo strato encapsulant, che può includere il nitruro di silicio, impedisce la specie dell'idrogeno fuoriuscire perciò mentre i processi a temperatura elevata successivamente sono condotti. Una volta che i processi a temperatura elevata sono stati realizzati, le parti dello strato encapsulant possono essere rimosse, come stato necessario, per fornire l'accesso alle caratteristiche della struttura del dispositivo a semiconduttore che sono alla base dello strato encapsulant. Le strutture del dispositivo a semiconduttore che sono state passivate in un tal modo inoltre sono rilevate.

 
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