A magnetic memory device includes first and second magnetoresistance
elements. The first and second magnetoresistance elements store
information and are provided apart from each other in a first direction. A
first wiring to apply a magnetic field to the first and second
magnetoresistance elements is provided along the first direction. A first
magnetic circuit is formed along a side of the first wiring and has a
notch in its portion between the first and second magnetoresistance
elements.
Μια μαγνητική συσκευή μνήμης περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερα magnetoresistance στοιχεία. Τα πρώτα και δεύτερα magnetoresistance στοιχεία αποθηκεύουν τις πληροφορίες και παρέχονται το ένα εκτός από το άλλο σε μια πρώτη κατεύθυνση. Μια πρώτη καλωδίωση για να εφαρμόσει ένα μαγνητικό πεδίο στα πρώτα και δεύτερα magnetoresistance στοιχεία παρέχεται κατά μήκος της πρώτης κατεύθυνσης. Ένα πρώτο μαγνητικό κύκλωμα διαμορφώνεται κατά μήκος μιας πλευράς της πρώτης καλωδίωσης και έχει μια εγκοπή στη μερίδα του μεταξύ των πρώτων και δεύτερων magnetoresistance στοιχείων.
