The present invention relates to a method of detecting X-rays for obtaining
improved radiographic images including a step of orienting a semiconductor
radiation detector whose height is greater than its thickness. The
orienting step comprises a selection of an acute angle between a direction
of incident radiation and a side of said detector having said height such
that said incident radiation mainly hit the side of said radiation
detector. The hit area excludes at least a section between at least one
edge of said detector and at least an active sensor area and that
substantially all of the energy of the radiation is dissipated within the
detector.
A invenção atual relaciona-se a um método de detectar raios X para obter imagens radiographic melhoradas including uma etapa de orientar um detetor da radiação do semicondutor cuja a altura seja mais grande do que sua espessura. A etapa orientando compreende uma seleção de um ângulo agudo entre um sentido da radiação do incident e um lado de detetor dito que diz a altura tais que a radiação dita do incident bateu principalmente o lado de detetor dito da radiação. A área da batida exclui ao menos uma seção entre ao menos uma borda de detetor dito e ao menos uma área ativa do sensor e aquela substancialmente tudo da energia da radiação são dissipadas dentro do detetor.
