A light emitting diode (LED) of a double hetero-junction type has a
light-emitting layer of a GaAlInP material, a p-type cladding layer and an
n-type cladding layer sandwiching the light-emitting layer therebetween, a
p-side electrode formed on the p-type cladding layer side, and an n-side
electrode formed on the n-type cladding layer side. The p-type cladding
layer consists of a first p-type cladding layer positioned closer to the
light-emitting layer and having a lower aluminum content and a lower
impurity concentration, and a second p-type cladding layer positioned less
closer to the light-emitting layer and having a higher aluminum content
and a higher impurity concentration. The LED also has a current blocking
layer below the p-side electrode for locally blocking electric current
flowing from the p-side electrode to the n-side electrode.
Een lichte uitzendende diode (leiden) van een dubbel hetero-junction type heeft een lichtgevende laag van een materiaal GaAlInP, therebetween een p-type bekledingslaag en een n-type bekledingslaag die de lichtgevende laag klemmen, een p-zijelektrode die aan de van de p-type kant bekledingslaag wordt gevormd, en een n-zijelektrode die aan de van de n-type kant bekledingslaag wordt gevormd. De p-type bekledingslaag bestaat uit een eerste p-type bekledingslaag die dichter aan de lichtgevende laag wordt geplaatst en het hebben van een lagere aluminiuminhoud en een lagere onzuiverheidsconcentratie, en een tweede p-type bekledingslaag die minder dichter aan de lichtgevende laag wordt geplaatst en het hebben van een hogere aluminiuminhoud en een hogere onzuiverheidsconcentratie. Leiden heeft ook een huidige het blokkeren laag onder de p-zijelektrode voor plaatselijk het blokkeren van het elektrische huidige stromen van de p-zijelektrode aan de n-zijelektrode.
