A heterojunction bipolar transistor has a raised breakdown voltage and
restrains the rising characteristic of I.sub.C -V.sub.CE characteristic
from degrading. The collector region includes first, second, and third
collector layers of semiconductor. The first collector layer is made of a
doped or undoped semiconductor in such a way as to contact the
sub-collector region. The second collector layer is made of a doped or
undoped semiconductor having a narrower band gap than the first collector
layer in such a way as to contact the base region. The third collector
layer has a higher doping concentration than the second collector layer in
such a way as to be located between or sandwiched by the first collector
layer and the second collector layer.
Um transistor bipolar do heterojunction tem uma tensão de avaria levantada e contem a característica levantando-se de I.sub.C - V.sub.CE característico de degradar. A região de coletor inclui primeiramente, segundo, e terceiras camadas do coletor de semicondutor. A primeira camada do coletor é feita de um semicondutor doped ou undoped em tal maneira a respeito do contato a região do secundário-coletor. A segunda camada do coletor é feita de um semicondutor doped ou undoped que tem uma abertura mais estreita da faixa do que a primeira camada do coletor em tal maneira a respeito do contato a região baixa. A terceira camada do coletor tem uma concentração doping mais elevada do que a segunda camada do coletor em tal maneira a respeito de encontrado no meio ou imprensado pela primeira camada do coletor e pela segunda camada do coletor.
