Semiconductor light emitting devices are provided. The semiconductor light
emitting device includes a base body, a selection mask having a
stripe-shaped opening portion, the selection mask being formed on the base
body, a semiconductor layer formed by selective growth from the opening
portion in such a manner as to have a ridge line substantially parallel to
long-sides of the opening portion, and a first conductive type cladding
layer, an active layer, and a second conductive type cladding layer, which
are formed on the semiconductor layer.
La lumière de semi-conducteur émettant des dispositifs sont fournies. Le dispositif d'émission léger de semi-conducteur inclut un corps bas, un masque de choix ayant une partie s'ouvrante raie-formée, le masque de choix étant formé sur le corps bas, une couche de semi-conducteur constituée par croissance sélective de la partie d'ouverture d'une telle façon quant à ont une ligne d'arête essentiellement parallèle aux long-côtés de la partie d'ouverture, et un premier type conducteur couche de revêtement, une couche active, et un deuxième type conducteur couche de revêtement, qui sont formés sur la couche de semi-conducteur.
