The invention is directed to an apparatus and method for reducing
particulates in a semiconductor processing chamber. The apparatus
comprises a shield for lining at portion of the interior of a vacuum
processing chamber. The interior of the shield defines a shield passage. A
heater element is disposed within the shield passage. A gas inlet is used
for providing gases to the interior of the shield passage. The range of
temperatures which may be used is wide and generally fitted to the
process. For example, the invention may be used to provide a rapid
cooldown or bakeout. Once the temperature is chosen, isothermal conditions
can be maintained so as to minimize the thermal cycle stress, reducing
cracking, peeling, etc.
L'invention est dirigée vers un matériel et une méthode pour réduire des substances particulaires dans un semi-conducteur traitant la chambre. L'appareil comporte un bouclier pour rayer à la partie de l'intérieur d'un vide traitant la chambre. L'intérieur du bouclier définit un passage de bouclier. Un élément de réchauffeur est disposé dans le passage de bouclier. Une admission de gaz est employée pour fournir des gaz à l'intérieur du passage de bouclier. La gamme des températures qui peuvent être employées au loin et généralement est adaptée au processus. Par exemple, l'invention peut être employée pour fournir un cooldown ou un bakeout rapide. Une fois que la température est choisie, des conditions isothermes peuvent être maintenues afin de réduire au minimum l'effort thermique de cycle, réduisant fendre, éplucher, etc...
