Thin film transistor, method of producing the same, liquid crystal display, and thin film forming apparatus

   
   

The invention intends to provide a TFT having a gate insulating film which has a high dielectric withstand voltage and can ensure a desired carrier mobility in an adjacent semiconductor active film. A gate electrode and a semiconductor active film are formed on a transparent substrate with a gate insulating film, which is formed of two layered insulating films, held between them. The gate insulating film is made up of a first gate insulating film which improves a withstand voltage between the gate electrode and the semiconductor active film, and a second gate insulating film which improves an interface characteristic between the gate insulating film and the semiconductor active film. The first and second gate insulating films are each formed of a SiN.sub.x film. The optical band gap of the first gate insulating film has a value in the range of 3.0 to 4.5 eV, and the optical band gap of the second gate insulating film has a value in the range of 5.0 to 5.3 eV.

De uitvinding bedoelt een TFT te verstrekken hebbend een poort isolerende film die hoge diƫlektrisch heeft voltage weerstaan en een gewenste dragermobiliteit in een aangrenzende halfgeleider actieve film kan verzekeren. Een poortelektrode en een halfgeleider actieve film worden gevormd op een transparant substraat met een poort isolerende film, die van twee gelaagde isolerende films wordt gevormd, die tussen hen worden gehouden. De poort isolerende film wordt samengesteld uit een eerste poort isolerende film die weerstaat voltage tussen de poortelektrode en de halfgeleider actieve film, en een tweede poort isolerende film verbetert die een interface kenmerkend tussen de poort isolerende film en de halfgeleider actieve film verbetert. De eerste en tweede poort isolerende films elk worden gevormd van een film SiN.sub.x. Het optische bandhiaat van de eerste poort isolerende film heeft een waarde in de waaier van 3,0 tot 4,5 eV, en het optische bandhiaat van de tweede poort isolerende film heeft een waarde in de waaier van 5,0 tot 5,3 eV.

 
Web www.patentalert.com

< Method and testing circuit for tracking transistor stress degradation

< Polymer, process for production, composition for film formation containing the same, method of film formation, and insulating film

> Method and apparatus for discriminating latent fingerprint optical fingerprint input apparatus

> Fixing device, method of fixing substrate and apparatus and method for manufacturing a liquid crystal display panel using the same

~ 00173