An apparatus for processing a semiconductor substrate, including a process
chamber having a plurality of walls and a substrate support to support the
substrate within the process chamber. A radiative heat source is
positioned outside the process chamber to heat the substrate through the
walls when the substrate is positioned on the substrate support. In some
embodiments, lenses are positioned between the heat source and the
substrate to focus or diffuse radiation from the heat source and thereby
selectively alter the radiation intensity incident on certain portions of
the substrate. In other embodiments, diffusing surfaces are positioned
between the heat source and the substrate to diffuse radiation from the
heat source and thereby selectively reduce the radiation intensity
incident on certain portions of the substrate.
Un apparecchio per l'elaborazione del substrato a semiconduttore, compreso un alloggiamento trattato che ha una pluralità di pareti e di supporto del substrato per sostenere il substrato all'interno dell'alloggiamento trattato. Una fonte di calore radiattivo è posizionata fuori dell'alloggiamento trattato per riscaldare il substrato tramite le pareti quando il substrato è posizionato sul supporto del substrato. In alcuni incorporamenti, gli obiettivi sono posizionati fra la fonte di calore ed il substrato per mettere a fuoco o la radiazione diffusa dalla fonte di calore e per alterare quindi selettivamente l'avvenimento di intensità di radiazione su determinate parti del substrato. In altri incorporamenti, diffondentesi le superfici sono posizionate fra la fonte di calore ed il substrato per diffondere la radiazione dalla fonte di calore e per ridurre quindi selettivamente l'avvenimento di intensità di radiazione su determinate parti del substrato.
