A semiconductor device capable of suppressing diffusion of copper at an
interface between a copper wire and a cap film to enhance an
electromigration resistance to ensure reliability of the copper wire, and
a manufacturing method thereof are provided. The semiconductor device
according to the present invention comprises an insulating film (12)
formed on a substrate (11), a concave portion (13) (for example, a groove)
formed in the insulating film, a conductive layer (15) embedded in the
concave portion through a barrier layer (14), and a cobalt tungsten
phosphorus coating (16) to connect with the barrier layer on the side of
the conductive layer and to coat the conductive layer on the opening side
of the concave portion.
Um dispositivo de semicondutor capaz de suprimir a difusão do cobre em uma relação entre um fio de cobre e uma película do tampão para realçar uma resistência do electromigration para assegurar a confiabilidade do fio de cobre, e um método de manufacturing disso são fornecidos. O dispositivo de semicondutor de acordo com a invenção atual compreende uma película isolando (12) dada forma em uma carcaça (11), uma parcela côncava (13) (para o exemplo, um sulco) dada forma na película isolando, uma camada condutora (15) encaixou na parcela côncava com uma camada de barreira (14), e em um revestimento do phosphorus do tungstênio do cobalt (16) para conectar com a camada de barreira no lado da camada condutora e para revestir a camada condutora no lado da abertura da parcela côncava.
