Semiconductor memory device having a burst continuous read function

   
   

Several sense amplifiers detect data read from a memory cell of a bank in accordance with read address. Several first holding circuits individually hold data output from the sense amplifiers. Several second holding circuits hold data output from the corresponding first holding circuit after being delayed by time that the read address gains with respect to the burst address. Decoders individually supply data held in several second holding circuits to the corresponding line of a bus line.

Varios amplificadores del sentido detectaron datos leídos en una célula de memoria de un banco de acuerdo con la dirección leída. Varios primeros circuitos que sostienen llevan a cabo individualmente salida de datos de los amplificadores del sentido. Vario el segundo que lleva a cabo los circuitos lleva a cabo salida de datos del primer circuito que sostiene correspondiente después de ser retrasado por el tiempo que la dirección leída gana con respecto a la dirección de la explosión. Los decodificadores proveen individualmente los datos sostenido en varios el segundo que lleva a cabo los circuitos a la línea correspondiente de una línea de autobús.

 
Web www.patentalert.com

< High-frequency wiring board

< Semiconductor memory device for storing multivalued data

> High frequency module

> Semiconductor storage device formed to optimize test technique and redundancy technology

~ 00172