Flat panel display with thin film transistor

   
   

A flat panel display capable of lowering an on-current of a driving thin film transistor (TFT), maintaining high switching properties of a switching TFT, maintaining uniform brightness using the driving TFT, and maintaining a life span of a light emitting device while the same voltages are applied to the switching TFT and the driving TFT without changing a size of an active layer. The flat panel display includes a light emitting device, a switching thin film transistor including a semiconductor active layer having a channel area for transferring a data signal to the light emitting device, and a driving thin film transistor including a semiconductor active layer having a channel area for driving the light emitting device. A predetermined amount of current flows through the light emitting device according to the data signal. The channel area of the switching thin film transistor has crystal grains with at least one of different sized or different shaped crystal grains than the crystal grains in the channel area of the driving thin film transistor.

Una visualizzazione a schermo piatto capace di abbassamento del su-corrente di un transistore movente della pellicola sottile (TFT), alte proprietà effettuanti di commutazione di una commutazione TFT, luminosità effettuante dell'uniforme usando il TFT movente ed effettuando una durata di un dispositivo d'emissione chiaro mentre le stesse tensioni sono applicate alla commutazione TFT ed il TFT movente senza cambiare un formato di uno strato attivo. La visualizzazione a schermo piatto include un dispositivo d'emissione chiaro, un transistore della pellicola sottile di commutazione compreso uno strato attivo a semiconduttore che ha una zona della scanalatura per il trasferimento del segnale di dati al dispositivo d'emissione chiaro e un transistore movente della pellicola sottile compreso uno strato attivo a semiconduttore che ha una zona della scanalatura per l'azionamento del dispositivo d'emissione chiaro. Una quantità predeterminata di corrente attraversa il dispositivo d'emissione chiaro secondo il segnale di dati. La zona della scanalatura del transistore della pellicola sottile di commutazione ha grani di cristallo con almeno uno a forma di dei grani di cristallo graduati o differenti differenti che i grani di cristallo nella zona della scanalatura del transistore movente della pellicola sottile.

 
Web www.patentalert.com

< Mask and method of manufacturing the same, electroluminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument

< Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device

> Circuit interconnect for optoelectronic device for controlled impedance at high frequencies

> Display device equipped with SRAM in pixel and driving method of the same

~ 00172