Fluoroolefin/acid group or protected acid group-containing copolymers for
photoresist compositions and microlithography methods employing the
photoresist compositions are described. These copolymer compositions
comprise 1) at least one fluoroolefin, preferably hexafluoroisobutylene,
and 2) an acid group or a protected acid group (e.g., a t-alkyl ester,
preferably a t-butyl ester), which together impart high ultraviolet (UV)
transparency and developability in basic media to these materials. The
materials of this invention have high UV transparency, particularly at
short wavelengths, e.g., 157 nm and 193 nm, which makes them useful for
lithography at these short wavelengths.
Το Fluoroolefin/i όξινη ομάδα ή προστατευμένα όξινα ομάδα-περιέχοντας copolymers για photoresist τις συνθέσεις και τις μεθόδους microlithography που υιοθετούν τις photoresist συνθέσεις περιγράφονται. Αυτές οι copolymer συνθέσεις περιλαμβάνουν 1) τουλάχιστον ένα fluoroolefin, hexafluoroisobutylene κατά προτίμηση, και 2) μια όξινη ομάδα ή μια προστατευμένη όξινη ομάδα (π.χ., ένας τ-αλκυλικός εστέρας, κατά προτίμηση ένας τ-βουτυλικός εστέρας), οι οποίες μαζί μετα:δίδω την υψηλά υπεριώδη (UV) διαφάνεια και το developability στα βασικά μέσα σε αυτά τα υλικά. Τα υλικά αυτής της εφεύρεσης έχουν την υψηλή UV διαφάνεια, ιδιαίτερα στα σύντομα μήκη κύματος, π.χ., 157 NM και 193 NM, η οποία τα καθιστά χρήσιμα για τη λιθογραφία σε αυτά τα σύντομα μήκη κύματος.
