A memory array dual-trench isolation structure and a method for forming the
same have been provided. The method comprises: forming a p-doped silicon
(p-Si) substrate; forming an n-doped (n+) Si layer overlying the p-Si
substrate; prior to forming the n+ Si bit lines, forming a p+ Si layer
overlying the n+ Si layer; forming a layer of silicon nitride overlying
the p+ layer; forming a top oxide layer overlying the silicon nitride
layer; performing a first selective etch of the top oxide layer, the
silicon nitride layer, the p+ Si layer, and a portion of the n+ Si layer,
to form n+ Si bit lines and bit line trenches between the bit lines;
forming an array of metal bottom electrodes overlying a plurality of
n-doped silicon (n+ Si) bit lines, with intervening p-doped (p+) Si areas;
forming a plurality of word line oxide isolation structures orthogonal to
and overlying the n+ Si bit lines, adjacent to the bottom electrodes, and
separating the p+ Si areas; forming a plurality of top electrode word
lines, orthogonal to the n+ Si bit lines, with an interposing memory
resistor material overlying the bottom electrodes; and, forming
oxide-filled word line trenches adjacent the word lines.
Μια δομή απομόνωσης διπλός-τάφρων σειράς μνήμης και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα έχουν παρασχεθεί. Η μέθοδος περιλαμβάνει: διαμόρφωση ενός π-ναρκωμένου υποστρώματος πυριτίου (PSI) διαμορφώνοντας ν-ναρκωμένη (n +) στρώμα Si που επικαλύπτει το υπόστρωμα PSI πριν από τη διαμόρφωση γραμμές κομματιών ν + Si, που διαμορφώνουν κάλυψη στρώματος A.P. + Si στρώμα ν + Si διαμορφώνοντας ένα στρώμα της κάλυψης νιτριδίων πυριτίου π + το στρώμα διαμορφώνοντας ένα κορυφαίο στρώμα οξειδίων που επικαλύπτει το στρώμα νιτριδίων πυριτίου εκτελώντας πρώτο έναν εκλεκτικό χαράξτε του κορυφαίου στρώματος οξειδίων, το στρώμα νιτριδίων πυριτίου, στρώμα π + Si, και μια μερίδα στρώμα ν + Si, στη μορφή γραμμές κομματιών ν + Si και τάφροι γραμμών κομματιών μεταξύ των γραμμών κομματιών διαμορφώνοντας μια σειρά κατώτατων ηλεκτροδίων μετάλλων που επικαλύπτουν μια πολλαπλότητα του ν-ναρκωμένου πυριτίου ( δομές ορθογώνιες και κάλυψη γραμμές κομματιών ν + Si, δίπλα στα κατώτατα ηλεκτρόδια, και χωρισμός περιοχές π + Si διαμορφώνοντας μια πολλαπλότητα των κορυφαίων γραμμών λέξης ηλεκτροδίων, ορθογώνια γραμμές κομματιών ν + Si, με ένα υλικό αντιστατών μνήμης παρεμβολής που επικαλύπτει τα κατώτατα ηλεκτρόδια και, διαμορφώνοντας τις οξείδιο-γεμισμένες τάφρους γραμμών λέξης δίπλα στις γραμμές λέξης.
