Interlaced alternating pixel design for high sensitivity CMOS Image sensors

   
   

A structure of an image sensor for sensing the light of an image impinging thereupon and for translating the image into a standard television format is disclosed. The structure comprises a plurality of first and second light detecting elements (22, 23) arranged in rows and columns and half as many rows and columns as scan lines of a television format for generating respective analog signals in proportion to the intensity of the light impinging respectively on each of the first and second light detecting elements (22, 23), wherein the first and second light detecting elements in each row are alternately disposed and activated by first read lines RDOn (n=1 . . . 256) to generate odd field signals, and wherein the first and second light detecting elements (22, 23) of two adjacent rows disposed in a zigzag or serrated manner are activated by second read lines RDEn (n=1 . . . 256) to generate even field signals.

Une structure d'une sonde d'image pour sentir la lumière d'une image empiétant sur quoi et pour traduire l'image dans un format standard de télévision est révélée. La structure comporte une pluralité de d'abord et la deuxième lumière détectant les éléments (22, 23) disposés dans les rangées et les colonnes et la moitié d'autant de rangées et colonnes comme les lignes de balayage d'une télévision composent pour produire des signaux analogues respectifs proportionnellement à l'intensité de la lumière empiétant respectivement sur chacune de la première et deuxième lumière détectant les éléments (22, 23), où la première et la deuxième lumière détectant des éléments dans chaque rangée sont alternativement disposées et activées par les premières lignes lues RDOn (n=1. . . 256) pour produire des signaux impairs de champ, et où la première et deuxième lumière détectant les éléments (22, 23) de deux rangées adjacentes a disposé d'un zigzag ou d'une façon dentelée sont activés par les deuxièmes lignes lues RDEn (n=1. . . 256) pour produire des signaux égaux de champ.

 
Web www.patentalert.com

< Metal stent for insertion in coronary artery

< Bearing structure having a resin case with axial slit

> Semiconductor memory device

> Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

~ 00172