Magnetoresistive transducer having stronger longitudinal bias field

   
   

A magnetoresistive transducer includes a magnetoresistive (MR) film interposed between domain control layers along the surface of a lower non-magnetic gap layer. Lead layers are formed on the domain control layers. An upper non-magnetic gap layer and an upper shield layer are sequentially formed to extend over the MR film and the lead layers. The upper shield layer is opposed to the surfaces of the MR element and the lead layers at a flat boundary or interface. The residual magnetization is supposed to exist in the upper shield layer in the direction of the magnetization established in the domain control layers after the upper shield layer has been subjected to the applied magnetic field for the magnetization of the domain control layers. The residual magnetization can be kept continuous along the flat interface of the upper shield layer. Any magnetic poles are hardly generated along the interface of the upper shield layer. The longitudinal bias field can be prevented from receiving the interaction of the residual magnetization in the upper shield layer. Reduction in the longitudinal bias field can thus be suppressed.

Un trasduttore magnetoresistente include una pellicola magnetoresistente (del SIG.) interposta fra gli strati di controllo di dominio lungo la superficie di uno strato non magnetico più basso di spacco. Gli strati del cavo sono formati sugli strati di controllo di dominio. Uno strato non magnetico superiore di spacco e uno strato superiore dello schermo sono formati in sequenza per estendersi sopra il SIG. pellicola e gli strati del cavo. Lo strato superiore dello schermo è opposto alle superfici del SIG. elemento e gli strati del cavo ad un contorno o ad un'interfaccia piano. La magnetizzazione residua è supposta per esistere nello strato superiore dello schermo nel senso della magnetizzazione stabilita negli strati di controllo di dominio dopo che lo strato superiore dello schermo sia stato sottoposto al campo magnetico applicato per la magnetizzazione degli strati di controllo di dominio. La magnetizzazione residua può essere mantenuta continua lungo l'interfaccia piana dello strato superiore dello schermo. Tutti i poli magnetici appena sono generati lungo l'interfaccia dello strato superiore dello schermo. Il campo diagonale longitudinale può essere evitato la ricezione dell'interazione della magnetizzazione residua nello strato superiore dello schermo. La riduzione del campo diagonale longitudinale può essere soppressa così.

 
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< GMR spin valve structure using heusler alloy

< Low cost anti-parallel pinned spin valve (SV) and magnetic tunnel junction (MTJ) structures with high thermal stability

> Method and apparatus for utilizing modulation codes that produce maximized sample timing information

> Giant magnetoresistance sensor with stitched longitudinal bias stacks and its fabrication process

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