Current confinement structure for vertical cavity surface emitting laser

   
   

A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure and fabrication method therefor are described in which a subsurface air, gas, or vacuum current confinement method is used to restrict the area of electrical flow in the active region. Using vertical hollow shafts to access a subsurface current confinement layer, a selective lateral etching process is used to form a plurality of subsurface cavities in the current confinement layer, the lateral etching process continuing until the subsurface cavities laterally merge to form a single subsurface circumferential cavity that surrounds a desired current confinement zone. Because the subsurface circumferential cavity is filled with air, gas, or vacuum, the stresses associated with oxidation-based current confinement methods are avoided. Additionally, because the confinement is achieved by subsurface cavity structures, overall mechanical strength of the current-confining region is maintained.

Eine Laser des vertikalen Raums ausstrahlende (VCSEL) Struktur- und Herstellungsoberflächenmethode dafür werden beschrieben, in der eine unter der Oberfläche liegende Luft, ein Gas oder eine Vakuumgegenwärtige Beschränkungmethode benutzt wird, um den Bereich des elektrischen Flusses in die aktive Region einzuschränken. Das Verwenden der vertikalen hohlen Wellen, um eine unter der Oberfläche liegende gegenwärtige Beschränkungschicht, einen vorgewählten seitlichen Radierung Prozeß zugänglich zu machen wird, um eine Mehrzahl der unter der Oberfläche liegenden Räum in der gegenwärtigen Beschränkungschicht zu bilden, das seitliche Radierung Prozeßfortfahren verwendet, bis die unter der Oberfläche liegenden Räum seitlich vermischen, um einen einzelnen unter der Oberfläche liegenden Umfangsraum zu bilden, der eine gewünschte gegenwärtige Beschränkungzone umgibt. Weil der unter der Oberfläche liegende Umfangsraum mit Luft, Gas oder Vakuum gefüllt wird, werden die Drücke, die mit Oxidation-gegründeten gegenwärtigen Beschränkungmethoden verbunden sind, vermieden. Zusätzlich weil die Beschränkung durch unter der Oberfläche liegende Raumstrukturen erzielt wird, wird gesamte mechanische Stärke der gegenwärtig-begrenzenden Region beibehalten.

 
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< Optical semiconductor device

< Organic vertical cavity lasing device having organic active region

> Semiconductor laser and method of manufacturing the same

> Embedded sensor, method for producing, and temperature/strain fiber optic sensing system

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