Use of amorphous aluminum oxide on a capacitor sidewall for use as a hydrogen barrier

   
   

The present invention forms sidewall diffusion barrier layer(s) that mitigate hydrogen contamination of ferroelectric capacitors. Sidewall diffusion barrier layer(s) of the present invention are formed via a physical vapor deposition process at a low temperature. By so doing, the sidewall diffusion barrier layer(s) are substantially amorphous and provide superior protection against hydrogen diffusion than conventional and/or crystalline sidewall diffusion barrier layers.

Вымысел настоящего момента формирует layer(s) барьера диффузии стенки mitigate загрязнение водопода ferroelectric конденсаторов. Layer(s) барьера диффузии стенки присытствыющего вымысла сформировано через физический процесс низложения пара на низкой температуре. так делать, layer(s) барьера диффузии стенки существенн аморфическо и обеспечивает главное предохранение против диффузии водопода чем обычные and/or кристаллические слои барьера диффузии стенки.

 
Web www.patentalert.com

< Hetero-bipolar transistor

< Charge transfer apparatus

> Junction-isolated depletion mode ferroelectric memory devices

> Memory cell, wafer, semiconductor component with memory cell having insulation collars and method for fabricating an insulating collar for a memory cell

~ 00171