A non-volatile memory device and a matrix display panel using the memory
device are provided. The non-volatile memory device includes a source, a
drain, an active layer, a gate insulating layer, and a gate. The active
layer is formed of an organic semiconductor in a contact region between
the source and the drain. The gate-insulating layer is formed of a
ferroelectric material on the active layer, and the gate is formed on the
gate-insulating layer. Accordingly, the non-volatile memory device and the
matrix display panel are very flexible, lightweight multi-programmable and
can be easily manufactured.
Un bloc de mémoires non-volatile et un panneau d'affichage de matrice à l'aide du bloc de mémoires sont fournis. Le bloc de mémoires non-volatile inclut une source, un drain, une couche active, une couche de isolation de porte, et une porte. La couche active est constituée d'un semi-conducteur organique dans une région de contact entre la source et le drain. La couche porte-isolante est constituée d'un matériel ferroelectric sur la couche active, et la porte est formée sur la couche porte-isolante. En conséquence, le bloc de mémoires non-volatile et le panneau d'affichage de matrice sont multi-programmables très flexible et léger et peuvent être facilement fabriqués.
